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STD100N10F7  与  IPD096N08N3 G  区别

型号 STD100N10F7 IPD096N08N3 G
唯样编号 A36-STD100N10F7 A-IPD096N08N3 G
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N CH 100V 80A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9.6mΩ
上升时间 - 30ns
Ciss - 1810.0 pF
Qg-栅极电荷 - 26nC
Rth - 1.5 K/W
Coss - 490.0pF
正向跨导 - 最小值 - 30S
栅极电压Vgs - 2.8V,2V,3.5V
封装/外壳 TO-252-3 DPAK (TO-252)
连续漏极电流Id - 73A
工作温度 - -55°C~175°C
配置 - Single
QG (typ @10V) - 26.0 nC
Ptot max - 100.0W
长度 - 6.5mm
下降时间 - 5ns
高度 - 2.3mm
Budgetary Price €€/1k - 0.45
Moisture Level - 1 Ohms
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 100W
典型关闭延迟时间 - 23ns
FET类型 - N-Channel
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 13ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
AOD66923 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±20V 58A 73W 11mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥3.113 

阶梯数 价格
20: ¥3.113
100: ¥2.387
457 对比
AOD2908 AOS  数据手册 功率MOSFET

9A(Ta),52A(Tc) N-Channel ±20V 13.5 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 2.5W(Ta),75W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
AOD296A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V 20V 70A 89W 8.3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AOD296A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V 20V 70A 89W 8.3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPD096N08N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD096N08N3GATMA1_100W 9.6mΩ 80V 73A DPAK (TO-252) N-Channel 2.8V,2V,3.5V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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